하이닉스반도체는 차세대 이동통신용 및 시스템온칩(SoC)용 메모리에 가장 적합한 고집적 강유전체 메모리(Fe램)의 상용화기술 개발에 성공했다고 9일 밝혔다. Fe램은 D램과 같은 집적도와 S램과 같은 고속 동작이 가능하면서도 플래시(Flash) 메모리처럼 전원이 꺼져도 기록된 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 통합 메모리로서 D램, S램, 플래시 메모리를 대체할 차세대 반도체로 꼽힌다. 이번에 개발한 제품은 0.25㎛의 미세 가공기술을 적용한 4메가 및 8메가 Fe램샘플로 3.0V의 동작전압에서 70나노초(1나노초: 10억분의 1초)의 빠른 속도로 쓰기와 읽기가 가능하며 1천억회 이상의 반복쓰기가 가능하다. 또 64메가급 Fe램까지 별도의 추가 기술개발 없이 활용할 수 있는 표준화된 기술로 개발돼 단일 소자로서 뿐만 아니라 임베디드 메모리(Embedded Memory)로서 SoC에 응용이 가능하다. 회사측은 "트랜지스터와 캐패시터(Capacitor)를 기존의 2개씩이 아닌 1개씩으로구성해 메가급 샘플을 확보했다는데 의의가 있다"면서 "새로운 회로기술과 강유전체인 비스무스 란타늄 티타네이트(BLT)를 채용, 칩 크기를 축소시키고 소자의 신뢰성을 대폭 향상시켰다"고 설명했다. 하이닉스는 이 제품을 10일 미국 콜로라도 스프링스에서 개최되는 제15회 고집적 강유전체 국제 심포지엄(ISIF)에서 공식 발표할 예정이며 현재 Fe램 기술과 관련,미국에 업계 최다인 150여건의 특허를 등록 또는 출원중이다. 하이닉스는 특히 1.0V 이하의 저전압에서도 동작할 수 있는 회로기술에 대한 원천특허를 최근 확보함으로써 차세대 이동통신용 메모리 기술개발에서 경쟁사들보다한발짝 앞서게 됐다. 하이닉스는 이번에 개발된 기술을 바탕으로 64메가급 Fe램 개발 및 안정적인 양산체제를 구축, 본격적인 시장선점에 나설 계획이다. 한편, Fe램은 휴대폰, PDA, 스마트 폰, 스마트 카드 등의 휴대용 단말기들의 급속한 보급과 더불어 그 활용도가 빠른 속도로 확산될 것으로 예상되며 2006년에는 100억달러 규모의 시장으로 성장할 것으로 전망되고 있다. (서울=연합뉴스) 유경수기자 yks@yonhapnews.co.kr