삼성전자, 실리콘밸리서 차세대 반도체 기술 공개…"고객가치 극대화"
삼성전자는 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018'을 개최하고, 차별화된 기술로 고객의 가치창출을 극대화 할 수 있는 차세대 반도체 솔루션을 소개했다.

'Samsung ＠ The Heart of Everything'이라는 주제로 지난해에 이어 두 번째로 개최된 이 행사에는 글로벌 IT업체와 미디어, 애널리스트, 테크(Tech) 파워 블로거 등 500여 명이 참석했다.

이날 행사에는 삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장과 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, FLASH 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장 및 상품기획팀 한진만 전무, 글로벌 IT 업계 주요 인사, 개발자들이 참석해 최신 반도체 시장의 흐름과 첨단기술 트렌드를 공유했다.

삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장은 개회사를 통해 "빅데이터 분석과 AI 기술이 본격 확산되면서 차세대 IT 시장도 고객 가치를 높일 수 있도록 혁신적으로 변화하고 있다"며 "글로벌 IT 시장을 선도하는 고객들에게 반도체 기술 발전의 가능성과 차세대 제품을 공개하게 돼 매우 기쁘다"고 말했다.

삼성전자는 이날 메모리에서는 ▲세계최초 256GB 3DS RDIMM ▲기업용 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD ▲6세대 V낸드 기술 ▲2세대 Z-SSD 등을 공개했다. 파운드리 사업부에서는 EUV(극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.

이날 행사에서는 'Futurum Research'의 수석 분석가 다니엘 뉴먼(Daniel Newman)이 “산업의 변화(Transformation of our Industry)”를 주제로 기조연설을 맡았으며, 이후 '삼성 테크놀로지 리더십'과 '에코-빌드/파트너십' 두 가지 테마로 진행됐다.

또 애플 공동 창업자 스티브 워즈니악(Steve Wozniak) 강연과 마이크로소프트, 자이링스(Xilinx), 휴렛 팩커드 엔터프라이즈, 브이엠웨어(VMWare) 주요 인사들이 참여하는 패널 토론도 진행돼 참석자들의 이목을 끌었다.

이날 세계 최초로 공개된 '256GB 3DS RDIMM'은 차세대 초고성능·초고용량 'Real Time Analysis 및 인메모리 데이터베이스(In Memory DataBase)' 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션으로, 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재해 기존 '128GB RDIMM' 대비 용량 2배 확대, 소비전력 효율은 30% 개선됐다.

메모리 D램 개발실 장성진 부사장은 "2017년 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급(1y) D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어, 업계 최초 256GB DIMM 양산, LPDDR5, GDDR6 및 HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축했다"고 밝혔다. 또 "향후 EUV공정 기반의 차세대 D램을 선행 개발해 초고속 초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대하여 사업 위상을 더욱 높여나갈 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 이날 행사에서 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP, Low Power Plus) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.

삼성전자 DS부문 미주총괄 밥 스티어(Bob Stear) 시니어 디렉터는 테크 데이에서 "7LPP 공정은 삼성전자가 EUV 노광 기술을 적용하는 첫 번째 파운드리 공정으로 삼성전자는 이번 생산을 시작으로 7나노 공정의 본격 상용화는 물론 향후 3나노까지 이어지는 공정 미세화를 선도할 수 있는 기반을 확보했다"고 밝혔다.

이진욱 한경닷컴 기자 showgun@hankyung.com
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