광주과학기술원(GIST) 신소재공학과 반도체집적소자 및 공정연구실 박사과정에 재학 중인 장만씨(31)가 최근 영국 케임브리지대학이 주관한 '반도체 절염막 국제학술발표회(INFOS)'에서 '주입된 양과 금속전극에 따른 메모리소자의 전하손실 메커니즘'이란 논문으로 최우수 학생논문상을 수상했다.

올해로 16회째인 INFOS는 2년마다 유럽 반도체 관련 대학 및 연구소에서 화학,재료,물리,전자 전공의 국제 전문가들이 모여 반도체 미래 기술에 대해 논의하는 국제학술대회다. 장씨는 기존 메모리 소자의 전하손실 메커니즘을 '에너지 밴드 휨 현상'을 이용해 수식적이고 실험적으로 규명한 논문을 발표해 높은 평가를 받았다.

황경남 기자 knhwang@hankyung.com