'12단 3차원 실리콘 관통전극' 첫 개발
삼성전자가 처리 속도를 높이고 소비전력을 줄이는 반도체 패키징 신기술을 개발해 ‘반도체 초격차’를 이어간다. 반도체 패키징은 칩을 기판 등에 장착하는 과정에서 칩이 외부와 통신할 수 있도록 길을 만들고 외부 충격으로부터 칩을 보호하는 공정이다.

삼성전자는 ‘12단 3차원 실리콘 관통전극’ 기술을 업계 최초로 개발했다고 7일 발표했다. 이 기술은 와이어를 이용해 칩을 연결하는 기존 방식(와이어 본딩)과 달리 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1 수준의 전자 이동통로 6만 개를 생성해 연결하는 방식이다. 와이어 본딩 방식보다 칩 사이에 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 획기적으로 개선할 수 있다. 기술 개발을 통해 D램을 8단으로 쌓은 기존 제품과 같은 두께로 12개의 D램 칩을 쌓을 수 있다. 고객사는 별도의 시스템 변경 없이도 고성능의 차세대 고용량 제품을 출시할 수 있게 됐다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com

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