삼성전자는 회로선폭이 머리카락 굵기(100미크론)의 666분의 1에 불과한 0.15미크론의 초미세 공정을 적용한 3세대 256메가비트(Mb)램버스 D램의 양산에 들어간다고 7일 발표했다. 이번에 적용된 0.15미크론 공정기술은 기존의 0.19미크론 및 0.17미크론에 이은3세대로 삼성전자는 현재 주력제품인 128메가 램버스 D램을 연말부터 256메가 램버스 D램으로 본격 세대교체할 계획이다. 삼성전자는 이번 0.15미크론 공정의 적용으로 웨이퍼당 칩 생산량이 0.17미크론공정보다 30% 이상 늘어났으며 내부 신호처리 속도도 기존 800 에서 1 이상으로빨라졌다고 밝혔다. 삼성전자는 또 기존에 0.17미크론 공정을 적용한 128메가 램버스 D램의 칩 크기가 일반 SD램 제품보다 23% 가량 컸으나 이번에 양산하는 256메가 제품은 SD램과의크기 격차를 9%로 줄여, 제품의 원가를 획기적으로 줄일 수 있다고 설명했다. 특히 삼성전자는 연말에는 0.13미크론 공정을 적용한 4세대 램버스 D램 제품을양산할 예정이며 보급형 램버스 D램인 4뱅크(Bank) 제품도 2002년 상반기에 도입할계획이다. 보급형 램버스 D램 제품은 범용 SD램과 비교해 칩 크기가 3% 정도 차이나는데그쳐 급격한 시장확대가 예상되는 제품이다. 삼성전자는 이번 0.15미크론 램버스 D램 양산기술을 바탕으로 지속적인 램버스D램의 생산원가 절감에 나서 세계시장의 60%대를 점유하고 있는 램버스 D램의 시장주도권을 유지하고 범용 SD램, 휴대폰용 저전력 SD램 제품, DDR를 포함한 D램 반도체 분야에서 최고의 경쟁력을 유지할 방침이다. 램버스 D램은 고성능 PC, 워크스테이션, 게임기에 주로 채용되고 있으며 800 이상의 고성능을 바탕으로 디지털 TV, 셋톱박스 등 차세대 디지털미디어기기의 메모리 제품으로도 수요가 확대될 것으로 예상되고 있다. [한국경제]