삼성전자와 하이닉스반도체는 3일 각각 ''커스텀 램버스 D램 모듈''과 ''1메가 강유전체 메모리(FeRAM)''를 개발했다고 발표했다.

삼성의 커스텀 램버스 D램은 서버 및 고성능 대형컴퓨터용으로 <>멀티채널 램버스D램<>대용량 램버스D램<>네트워크용 램버스D램 등 3종이 출시됐다.

멀티채널 램버스D램은 데이터 입출력 채널을 4개로 늘려 초당 6.4기가바이트의 데이터를 전송할 수 있다.

하이닉스반도체가 개발한 Fe램은 전원이 끊겨도 저장한 데이터를 잃지 않는 비휘발성 메모리로 D램,S램,플래시 메모리의 장점을 모두 가지고 있다.

기존의 비휘발성 기억소자인 플래시메모리에 비해 동작전압이 낮고 정보기록 속도가 1천배 이상 빠르다.

하이닉스는 그동안 업계에서 상용화된 Fe램 제품이 저용량이었으나 이번에 신뢰성이 확보된 1메가 제품을 개발,대용량 Fe램의 상품화 시기가 앞당겨지게 됐다고 설명했다.

김성택 기자 idntt@hankyung.com