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뇌 속 '기억의 흔적' 촬영 기술부터 딥러닝 정확도 높이는 메모리까지

입력 2016-09-29 19:32:03 | 수정 2016-09-30 05:11:55 | 지면정보 2016-09-30 A15면
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삼성, 미래기술과제 28개 선정
‘뇌 안의 기억흔적을 촬영하는 기술’ ‘딥러닝 정확도를 높이기 위해 특정 상황에선 일부 오류를 허용하는 메모리’.

삼성이 29일 올 하반기 미래기술육성사업을 통해 지원할 기초과학, 소재기술, 정보통신기술(ICT) 분야 연구과제 28개를 선정했다. 이 사업은 2013년부터 10년간 총 1조5000억원을 출연해 미래기술 개발을 지원하는 프로그램이다.

기초과학 분야에서는 ‘뇌 안의 기억흔적 영상기술 연구’(박혜윤 서울대 교수) 등 14개 과제가 뽑혔다. 뇌 안의 기억흔적 영상기술 연구는 뇌세포의 학습과 기억에 중요한 역할을 하는 것으로 알려진 ‘Arc mRNA’를 영상화하는 기술을 개발해 기억의 변화를 밝혀내는 게 목표다. 치매, 파킨슨병 등 신경퇴행성 질환 치료에 기여할 것으로 기대된다.

소재기술 분야에서는 ‘상온 스핀 소용돌이를 이용한 초고속 저전력 메모리 소재 연구’ 등 8건이 선정됐다. 우성훈 한국과학기술원(KIST) 박사가 주도하는 초고속 저전력 메모리 소재 연구는 메모리를 10㎚ 이하로 만들기 위한 시도다.

ICT 분야에서는 ‘딥러닝 하드웨어 구현을 위한 근사적 메모리 구조’(이혁재 서울대 교수) 등 6건을 지원한다. 근사적 메모리 연구는 데이터의 중요도나 시스템 상황에 적응해 일부 오류를 허용하는 구조를 개발하는 과제다. 인공지능 기반인 딥러닝의 정확도를 높일 수 있는 연구다.

김현석 기자 realist@hankyung.com

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