삼성전자, 세계 최초 128GB D램 모듈 양산
이번 128기가바이트 D램 모듈은 삼성전자의 20나노 공정을 적용한 8기가비트 DDR4 D램 칩 144개로 구성돼, 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재됐습니다.
삼성전자는 TSV 기술이 기존 와이어를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하고 보다 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있는 점이 특징이라고 설명했습니다.
또, 이번 128기가바이트 TSV D램 모듈이 기존 64기가바이트 D램 모듈보다 용량뿐 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2,400Mbps를 구현할 수 있으며 소비전력량은 50%나 줄였다고 덧붙였습니다.
삼성전자는 올해 중에 `TSV 풀라인업`을 완성하고, 초고용량 D램 수요 증가세에 맞춰 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중을 빠르게 늘려 제조 경쟁력을 높인다는 방침입니다.
문성필기자 munsp33@wowtv.co.kr
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