삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트 DDR3 D램을 개발했습니다. 지난 2007년 세계 최초로 60나노 공정 2기가비트 DDR2 D램 개발로 본격적인 고용량 D램 시대를 열었던 삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정 2기가비트 DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓았습니다. 4기가비트 DDR3 D램은 대용량 모듈 개발에 적용되며, 패키지 적층 기술 (DDP: Double Die Package)을 적용하면 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능합니다. 또한, 4기가비트 DDR3를 활용하면 공정과 제조 원가 측면 뿐만 아니라 전력 소비 측면에서 더 큰 강점을 발휘할 수 있어, 최근 서버 업계를 중심으로 높아지고 있는 친환경 사양 요구에 맞춰 더욱 효과적인 저전력 메모리 솔루션을 제공할 수 있습니다. 삼성전자는 1992년 세계 최초로 64메가비트 D램을 개발해 D램 시장 정상에 오른 이래 256메가비트, 1기가, 2기가 D램 등 차세대 D램 제품을 잇따라 최초 개발하면서 D램 시장에서 기술 리더십을 지켜 왔으며, 이번에 4기가비트 DDR3 D램을 개발함으로써 다시 한 번 메모리 시장에서의 우위를 보여 주게 됐다고 밝혔습니다. 최진욱기자 jwchoi@wowtv.co.kr