금형 기어 베어링등 3차원물체에 균일하게 이온을 주입,표면의
내구성을 높이는등 표면의 성질을 바꾸도록 하는 플라즈마 이온주입기술이
개발됐다.

9일 한국과학기술연구원(KIST)한승희박사팀은 주입물질을 플라즈마(이온과
전자의 집합체)상태로 만들어 이온을 대상물 표면의 수천 (1 =10만분의
1 )깊이까지 균일하게 주입하는 기술을 개발,장비제작까지 끝냈다고
밝혔다.

지금까지 이온주입기술은 주로 평면 대상물인 반도체웨이퍼에 다른물질을
첨가할때 쓰여 왔으나 3차원물체에 적용하기에는 대상물을 회전해야하고
경사면의 경우 이온충돌이 발생하는등 문제가 많았다.

이번에 개발된 기술은 질소나 탄소등의 기체에 전기를 흘려 플라즈마를
만든 다음 이속에다 3차원물체를 넣은뒤 이온을 고르게 주입시키도록
한다.

한박사는 대상물에 수십내지 수백 의 부(-)전압을 걸어 양전하를
띠고있는 이온을 대상물의 표면으로 스며들게 했다고 설명했다.

그는 대상물에 거는 전압의 강도를 낮추면 이번에 개발된 기술로
이온증착도 할 수 있다고 덧붙였다.

이온주입기술은 박막법이나 이온증착법과 같은 기존의 표면개질법과는
달리 표면이 벗겨질 염려가 없고 상온에서 이뤄지기 때문에 대상물이
변형될 일이 없는 우수한 기술이다.

특히 이번에 개발된 플라즈마 이온주입기술은 미국 아스텍스사등이
실험실수준의 장치를 개발하고 있는등 선진국에서도 아직 실용화단계에
이르지못한 첨단기술이다.

응용범위가 기계부품 우주항공 원자력 가전 의공학등 거의 전부문에
걸쳐있다.

한박사는 이번 기술개발과 관련 1건의 국내특허를 출원했으며 장비보급을
위해 기술이전을 추진할 계획이라고 말했다.

< 오광진기자 >

(한국경제신문 1994년 10월 10일자).