삼성전자가 4메가S램을 개발,시제품생산에 나섰다.
6일 삼성은 이번에 국산화한 4메가S램이 1백19 규모의 칩으로
영자신문32면에 해당하는 알파벳 52만자의 정보를 기억할수 있다고 밝혔다.
정보처리속도는 55나노초(1나노초는 10억분의 1초)로 슬로 S램분야에서는
가장 빠르다.
삼성은 지난89년10월 개발에 나선뒤 최근 시제품제작에 착수한 이제품이
16메가D램과 같은 첨단기술로 설계및 제조된다고 설명했다. C모스공정을
채택하고 있으며 0.5미크론급 초미세가공기술이 쓰인다.
4메가S램은 전자수첩 팜톱PC를 비롯 메모리카드 핸디터미널 각종계측기등
대용량의 고성능정보처리시스템에 폭넓게 응용되고 있는 반도체칩이다.
삼성은 시제품을 생산,성능을 보강하고 내년부터 대량공급에 나설
계획이다. 올해중 2억달러규모의 시장이 형성될 것으로 예상되는
4메가S램은 상업용샘플가격이 개당 2백달러선에 이르고 있는 고부가가치
제품으로 꼽힌다.
이제품은 93년 3억달러,94년 5억달러로 연평균 50%이상 성장할 것으로
전망되고 있다.
삼성은 88년11월 슬로 1메가S램,90년5월 패스트1메가S램(처리속도
20나노초)을 개발했으며 이번에 이보다 성능이 뛰어난 4메가S램을
국산화,S램분야에서 경쟁력을 갖추고 있다.

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