바이든, 인텔 24조원 반도체 시설투자에 "역사적"…삼성도 거론(종합2보)

중국과 경쟁 거론하며 미국 내 반도체 제조·일자리 확대 강조
백악관 보도자료도 삼성·SK 사례 언급…펠로시 의장도 지원사격

조 바이든 미국 대통령은 21일(현지시간) 미 반도체기업 인텔이 오하이오주에 200억 달러(한화 약 24조원)를 들여 반도체 제조시설을 짓기로 한 데 대해 "역사적 투자"라고 치켜세웠다.

삼성의 대미투자도 함께 거론하면서 중국과의 경쟁에서 뒤처지면 안 된다고 거듭 강조했다.

바이든 대통령은 이날 백악관에서 연설을 통해 인텔의 반도체 제조시설 신설 계획에 대해 "진정으로 역사적인 투자"라고 말했다.

그는 "미국 역사상 반도체 제조 분야 최대 규모 투자 중 하나"라며 "7천 개의 건설 일자리와 3천 개의 일자리가 창출될 것"이라고 평가했다.

바이든 대통령은 "작년에는 삼성과 마이크론 같은 대형 반도체 회사들이 800억 달러를 들여 미국에 신규 시설을 짓겠다고 약속했다"면서 삼성의 투자도 거론했다.

그는 "연구개발 분야에서 미국은 1위였는데 지금은 9위이고 중국은 30년 전에 8위였는데 지금 2위"라면서 "우리는 반도체 설계와 연구의 리더인데도 겨우 10%를 생산하고 있다.

75%는 동아시아에서, 첨단 반도체칩의 90%는 대만에서 생산되고 있다"고 탄식했다.

이어 "중국은 글로벌 시장을 장악하기 위해 할 수 있는 모든 것을 하고 있다"며 중국과의 경쟁 대처와 미국 내 투자 확대의 중요성을 역설했다.

바이든 대통령은 그러면서 미국 내 반도체 생산 확대에 520억 달러를 지원토록 하는 '미국혁신경쟁법안'의 통과를 촉구했다.

그는 "의회가 당장 법안을 통과시켜 (대통령 서명을 위해) 내 책상에 갖다놓았으면 좋겠다"면서 "우리의 경제적 경쟁력과 국가안보를 위해 그렇게 하자"고 호소했다.

중국에 대응한 미국의 경쟁력 강화를 골자로 하는 미국혁신경쟁법안은 지난해 6월 상원을 통과했지만 하원 관문은 넘지 못했다.

낸시 펠로시 하원의장은 이날 민주당 동료의원들에게 보낸 서한에서 "조만간 법안을 내놓을 것"이라며 바이든 행정부 지원사격에 나섰다.

펠로시 하원의장은 "하원의 법안은 반도체칩에 대한 우리의 투자와 공급망을 강화하고 연구역량을 완전히 바꿔놓을 것"이라고 강조했다.

백악관은 이날 바이든 대통령의 연설에 앞서 미국내 반도체칩 제조역량 확대를 자찬하는 보도자료를 배포하면서 삼성과 SK하이닉스의 대미투자 사례도 거론했다.

백악관은 삼성이 텍사스주에 170억 달러 투자 계획을 발표했다면서 이는 작년 5월 문재인 대통령과 바이든 대통령의 한미 정상회담을 포함해 바이든 행정부가 기울인 지속적 노력의 결과라고 의미를 부여했다.

SK그룹이 미국에 새로운 연구·개발(R&D) 센터 투자 계획을 밝힌 것도 사례에 포함됐다.

SK하이닉스는 지난해 10억 달러를 들여 실리콘밸리에 신성장 분야 혁신을 위한 대규모 R&D 센터를 설립한다는 계획을 발표한 바 있다.

바이든 행정부는 지난해 삼성을 포함한 미 안팎 대기업을 대상으로 반도체 부족 사태 대응을 위한 회의를 연달아 소집했다.

바이든 대통령은 작년 4월 회의에 직접 참석해 미국에 대한 공격적 투자를 압박했다.

작년 11월에는 인텔이 중국 공장에서 반도체 재료인 실리콘 웨이퍼 생산을 늘리려다 바이든 행정부의 제동으로 무산됐다는 블룸버그 통신의 보도가 나오기도 했다.

/연합뉴스