후지쓰 히타치 제작소 등 일본의 주요 반도체메이커들이 차세대 반도체인
2백56메가D램 생산거점을 해외로 이전할 계획이다.

일본의 니혼게이자이신문은 5일 "일본 반도체메이커들은 오는 2000년부터
양산할 2백56메가D램의 공급과잉을 우려, 생산계획을 전면 재검토하고 있다"
며 이같이 보도했다.

이는 그동안 국.내외로 양분됐던 반도체 생산시설을 해외공장으로 일원화,
투자 효율성을 높이기 위한 것이라고 이 신문은 전했다.

후지쓰는 현재 일본과 미국 등 2개 공장에서 64메가D램을 생산하고 있으나
2백56메가D램은 미국 공장에서만 생산키로 했다.

이 회사는 생산거점 일원화로 수백억엔 규모의 투자비 절감을 기대하고
있다.

히타치는 2백56메가D램 생산을 싱가포르 공장에서 전담할 방침이다.

현재 64메가D램을 생산하고 있는 일본내 LSI제작본부는 설비를 일부 변경,
비메모리 제품을 집중 생산할 예정이다.

일본 업계 관계자는 "한국과 일본에 이어 대만이 2백56메가D램시장에
뛰어들어 공급과잉이 예상된다"며 "일본 업체들은 투자 손실을 우려,
건설비와 인건비 등이 낮은 해외 시장으로 빠져나가고 있다"고 말했다.

2백56메가D램은 기존 64메가보다 4배의 집적도를 가진 첨단 반도체로
1개 공장 건설에 약 1천5백억엔 이상의 투자가 소요된다.

일본 반도체메이커들은 메모리분야 투자를 가급적 줄이는 대신 비메모리
반도체 및 디지털정보가전제품 등 고부가가치 제품 분야를 강화하고 있다.

< 도쿄=김경식 특파원 kimks@dc4.so-net.ne.jp >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 8월 6일자 ).