[도쿄=이봉구특파원]일본 히타치(일립)제작소가 휴대형정보단말기(PDA)의
소형.고성능화를 꾀할수 있는 초고속반응형 4메가비트 S램을 개발했다고 일
경산업신문이 17일 보도했다.

이기억소자가 정보를 기억하고 출력시키는데 드는 액세스시간은 이미 실용
화된 1메가비트 S램보다 10배정도 빠른 6나노(1나노는 10억분의 1)초이다.

최적 동작전압도 종래 S램이 5볼트로 높았던 단점이 있었던데 비해 이번에
개발된 제품은 2.7볼트로 낮아졌다.

히타치측은 이기억소자를 고성능 마이크로프로세서와 조합시켜 새로운 PD
A시제품을 만들어 시험해본 결과,기존제품에 비해 데이터처리속도가 3배가
량 빨랐다고 밝혔다.