와이즈파워는 15일 계열사인 그랜드텍이 고휘도·고효율 발광다이오드(LED)의 핵심 소자인 GaN(질화갈륨) 웨이퍼의 생산공정 기술에 대한 미국 특허를 획득했다고 밝혔다.

그랜드텍은 자체 개발한 수소기상증착 장비인 HVPE(Hydride VAPOR Phase Epitaxy) 시스템을 이용한 GaN 박막 형성 기술에 대한 미국 특허다. 이 특허기술은 에피 웨이퍼를 제조하는 공정 중에서도 LED 칩의 성능을 좌우하는 박막형성 기술에 대한 내용이라고 회사측은 설명했다.

LED 칩 공정은 크게 기판에 화합물 박막층을 형성시키는 에피 공정과 LED 칩을 만드는 팹 공정, 완성된 LED를 최종 제품으로 만드는 패키징 공정으로 나눌 수 있다. 그 중에서 에피 공정은 사파이어 기판에 금속화합물 박막으로 된 반도체층을 형성해 에피 웨이퍼를 만드는 과정이다.

이번에 그랜드텍이 미국 특허출원을 완료한 기술은 이 에피 웨이퍼를 제조하는 공정 중에서 가장 핵심이 되는 박막형성 기술에 대한 것이다. 에피 웨이퍼는 사파이어 기판 위에 GaN 박막층을 만드는 것이 핵심공정이다.

박기호 와이즈파워 대표이사는 "그랜드텍이 자체 제작한 수소기상증착 장비와 특허 기술을 상용화해 조명용 고휘도·고효율 LED 칩 시장에 진출하겠다"며 "이번 특허 출원을 계기로 수소기상증착 장비와 GaN 기판의 출시를 앞당길 예정"이라고 전했다.

한경닷컴 김하나 기자 hana@hankyung.com