하이닉스반도체는 0.10㎛(미크론)의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 512메가 더블데이터레이트(DDR) SD램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다. 하이닉스가 이번에 개발한 0.10미크론급 제품은 기존의 블루칩(0.15미크론) 기술과 프라임칩(0.13미크론) 기술을 뛰어넘는 골든칩(Golden Chip) 기술에 해당한다. 골든칩 기술은 기존 프라임칩 공정기술에서 사용했던 장비를 이용해 추가투자 없이 양산이 가능, 투자비용을 약 50% 줄일 수 있고 프라임칩 기술대비 웨이퍼당 칩(Chip) 개수도 40% 이상 늘릴 수 있는 장점을 갖고 있다. 하이닉스는 골든칩 기술을 적용한 512메가 DDR SD램을 연말부터 본격적으로 생산한뒤 내년 상반기에는 이 기술을 적용한 256메가 DDR SD램과 1기가 DDR SD램을 차례로 양산할 계획이다. 512메가 DDR SD램은 PC 및 서버의 메인 메모리용 제품으로 시장 수요에 적절히 대응할 수 있게 DDR 266은 물론 DDR 333 및 DDR 400도 완벽하게 지원한다. 하이닉스는 "최근 DDR 제품을 중심으로 점차 회복돼 가는 메모리 시장에서 블루칩, 프라임칩에 이어 골든칩 개발에 성공함으로써 우수한 기술 및 원가 경쟁력을 바탕으로 다양한 제품군을 갖추게 됐다"고 자평했다. (서울=연합뉴스) 유경수기자 yks@yonhapnews.co.kr