하이닉스반도체가 0.10미크론의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 512메가 DDR SD램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다. 이 제품은 PC 및 서버의 메인 메모리용 부품으로 기존 블루칩(0.15미크론) 기술과 프라임칩(0.13미크론) 기술을 잇는 골든칩이라는 반도체 기술을 적용했다. 하이닉스는 “골든칩 기술은 기존 공정기술에서 사용했던 장비를 이용해 추가투자 없이 양산을 할 수 있어 투자비용을 약 50% 줄일 수 있다”고 설명했다. 하이닉스는 내년 상반기에는 이 기술을 적용한 256메가 DDR SD램 양산과 1기가 DDR SD램의 세계 최초 양산을 목표로 하고 있다. 한경닷컴 유용석기자 ja-ju@hankyung.com