삼성전자가 세계 최초로 10나노미터(㎚)대 D램 양산을 시작했다. ‘공정기술의 한계’로 여겨지던 10㎚ 벽을 뚫은 것이다. 미국 마이크론 등 경쟁사와의 기술 격차를 2년까지 벌렸다는 게 시장의 평가다.

삼성전자는 반도체 회로 사이 간격이 18㎚인 8Gb(기가비트) DDR4 D램을 지난 2월부터 생산하고 있다고 5일 발표했다. 1㎚는 10억분의 1ｍ다. 회로 간격이 좁을수록 속도는 빨라지고 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 칩도 늘어난다. 양산에 들어간 18나노 D램은 처리 속도가 20나노 제품보다 30% 빠르고, 소비 전력은 10~20% 적게 든다. 웨이퍼 한 장에서 20나노보다 30% 많은 1000개의 칩을 생산할 수 있다.

2014년 2월 20㎚ 4Gb D램 양산을 가장 먼저 시작한 삼성전자는 2년 만에 10㎚대 생산단계에 진입했다.

전영현 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 “10나노대 D램 등장으로 세계 정보기술(IT)업체들이 더 높은 효율의 IT기기를 내놓을 수 있을 것”이라고 말했다.

노경목 기자 autonomy@hankyung.com