삼성전자가 낸드플래시를 8단으로 쌓아 만든 적층칩 두께를 1mm 이하로 줄이는 데 세계 최초로 성공했다.

삼성전자는 세계 최초로 0.6㎜ 두께의 8단 적층칩 기술을 개발해 32기가바이트(GB) 낸드플래시 적층칩에 적용했다고 4일 밝혔다.

이 적층칩은 750㎛(1미크론=100만분의 1ｍ) 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 15㎛ 두께로 갈아 내고, 위로 쌓아올려 고용량 패키지로 만든 제품이다.

기존 낸드플래시 적층 패키지는 칩 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공해 쌓아 올려 1mm를 구현했다.

삼성전자는 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고, 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기도 쉽지 않다는 기술적 한계를 극복하고 15㎛ 두께로 가공하는 데 성공했다.

새 가공 기술을 적용해 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현하면 두께는 그대로 유지하면서 용량을 두 배 이상 높인 모바일 제품을 제조할 수 있다.

삼성전자는 이번 기술 개발로 현재 50% 이상의 세계 점유율을 확보한 모바일 메모리 복합칩 시장에서 제품 경쟁력을 더 강화할 수 있을 것으로 전망했다.

삼성전자 테스트앤패키지(Test & Package)센터 정태경 상무는 "0.6㎜ 8단 적층칩은 현재 대용량 적층칩 시장의 주력 제품과 비교해 두께는 물론 무게까지 절반 정도여서 모바일 기기 시장에 가장 적합한 솔루션이다"라고 말했다.

반도체 시장조사기관 아이서플라이는 세계 메모리카드 시장에서 2GB 용량 이상의 제품 수량이 올해 3억1천만개에서 2012년 7억7천만개 정도로 성장할 것으로 전망했다.

<사진설명> 삼성전자가 세계 최초로 개발한 0.6㎜ 두께의 낸드 8단 적층칩(왼쪽). 오른쪽은 기존 1㎜ 두께 낸드 8단 적층칩.


(서울연합뉴스) 이광철 기자 minor@yna.co.kr