삼성전자가 세계 최초로 40나노급(1나노 = 10억분의 1m) 공정을 적용한 차세대 반도체 DDR3 D램 양산을 시작한다.

삼성전자는 이달 말부터 40나노급 미세공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품을 본격 양산한다고 21일 밝혔다.

올 1월 40나노급 D램을 개발한 지 6개월 만에 양산 체제로 들어가는 것이다.

40나노급 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 50나노급 제품에 비해 생산성이 60% 정도 높다.

40나노급 2Gb DDR3 D램은 1.35V 동작전압에서도 기존 1.5V 제품에 비해 20% 정도 빠른 1.6Gbps(초당 1천600 메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현할 수 있다.

전력소모도 기존 DDR2 D램보다 적어 친환경적이다.

삼성전자는 "최고의 친환경 솔루션으로 호평을 받은 50나노급 2Gb DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 돼 제품 차별화를 더욱 강화하게 됐다"고 말했다.

삼성전자는 DDR3 시장을 확대하기 위해 서버용 16기가바이트(GB), 8GB 모듈(RDIMM), 워크스테이션, 데스크톱 PC용 4GB 모듈(UDIMM), 노트북용 4GB 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 주력으로 공급할 계획이다.

반도체 시장 조사기관 아이서플라이는 DDR3 D램이 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 2012년 82%로 급격하게 늘어날 것으로 예상하고 있다.

2기가비트 D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%, 2010년 18%, 2012년 82%로 성장할 것으로 전망되고 있다.

한편 시장조사기관 D램 익스체인지에 따르면 이달 20일 기준 DDR3 D램 제품 가격은 공급이 충분하지 못한 상황이 지속되면서 이달 초보다 2.44% 오른 1.34달러에 고정거래가가 형성됐다.

D램 주력 제품인 DDR2도 5.17% 오른 1.22 달러에 고정거래가가 형성됐다.

(서울연합뉴스) 이광철 기자 minor@yna.co.kr