삼성전자가 D램 등 메모리 반도체의 수요가 본격 회복될 조짐을 보이자 내년에 투자키로 했던 반도체 3백mm(12인치) 웨이퍼 증설에 5천55억원을 조기 투입키로 했다. 삼성전자는 3백mm 웨이퍼 전용라인인 화성공장 12라인의 조기양산체제를 구축하기 위해 5천55억원을 조기 집행키로 결정했다고 9일 발표했다. 이는 올해 반도체 부문에 투자키로 한 3조2천9백억원에 포함돼 있지 않던 금액이다. 지난 상반기 화성공장 12라인에 1단계로 1조4천억원을 투자한 삼성전자는 당초 내년 집행할 예정이었던 2단계 투자를 앞당김으로써 내년중 12라인의 완전 양산체제를 구축한다는 계획이다. 회사 관계자는 "D램과 플래시 메모리 등 반도체 경기회복에 맞춰 조기 증설에 나서기로 했다"고 설명했다. 또 "이를 통해 세계 D램 시장 점유율을 30% 이상 안정적으로 확보, 시장 주도권을 행사하며 대만 등지의 후발업체를 견제할 수 있을 것"이라고 말했다. 3백mm 웨이퍼에선 기존 주력인 2백mm 웨이퍼보다 반도체칩 생산개수가 단순 계산으로 2.25배 정도 늘어나지만 수율(불량률의 반대개념)을 고려하면 40% 정도 생산성이 뛰어나다. 삼성전자는 내년 1월 3만장 이상으로 생산규모를 늘리고 이후 최종 3단계 공사가 끝나는 내년 하반기에는 웨이퍼 생산능력을 4만장 이상으로 늘릴 계획인 것으로 전해졌다. 삼성전자는 지난 6월 중순 이후 PC메이커와의 협상을 통해 고정거래가격을 6차례 인상시키는 등 내년도 D램 수요 회복에 기대감을 높여 왔다. 조일훈ㆍ이심기 기자 jih@hankyung.com