삼성전자[05930]는 세계반도체학회(ISSCC)가 선정하는 우수 논문에 삼성전자가 제출한 '저전압/고속 72Mbit DDR3 S램 개발' 등 6편이 모두 상위권에 선정됐다고 12일 밝혔다. 이번에 선정된 삼성전자 논문에는 지난 9월 세계 최초로 90나노 공정을 상용화시킨 2Gbit NAND 플래시 메모리 개발 관련 논문 및 초고속 512M DDR II 개발, 저전압 256M SDRAM 개발 논문 등이 포함됐으며 모두 메모리 연구개발 부문의 성과를 담은 것이라고 삼성전자측은 밝혔다. 한편 세계반도체학회는 이날 오후 신라호텔에서 팀 트레드웰 회장과 삼성전자황창규 사장을 비롯해 반도체 업계 및 연구소 임원 등 50여명이 참석한 가운데 'ISSCC-2003 학술논문 프레스 릴리스' 행사를 갖고 우수 논문을 선정, 발표했다. 이날 행사에서 축사를 맡은 황사장은 "ISSCC와 같은 권위 있는 학회에서의 활발한 정보교류는 최근 회복기조에 있는 IT(정보기술)산업의 회복을 더욱 앞당기는 기폭제 역할을 할 것" 이라고 말했다. 이번에 선정된 우수 논문은 내년 2월 세계반도체학회 컨퍼런스를 통해 발표된다. (서울=연합뉴스) 권혁창 기자 faith@yna.co.kr