삼성전자는 세계 처음으로 회로선폭 90나노미터(㎚？10억분의 1？) 가공기술을 확보, 2기가비트(Gb？10억비트)플래시메모리 시제품을 생산했다고 16일 발표했다. 삼성전자는 또 3백밀리 웨이퍼 시설에 대한 설비투자를 본격화해 내년 7월부터 월 2만장의 웨이퍼 가공을 시작할 예정이다. ▶관련기사 13면 황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 이날 서울 신라호텔에서 '메모리전략 발표회'를 갖고 이같이 밝혔다. 그는 또 3·4분기중 D램 현물시장가격이 하락했음에도 불구하고 램버스D램,DDR(더블데이터레이트),플래시메모리 등의 수출호조에 힘입어 메모리사업의 매출액은 2·4분기보다 증가할 것이라고 말했다. 주우식 IR담당 상무는 반도체부문의 호조에 힘입어 삼성전자의 3·4분기 전체매출은 2·4분기보다 줄어들지 않을 것이라고 설명했다. 황 사장이 이날 발표한 90나노 양산기술은 인텔과 TSMC보다 앞선 것으로 평가된다. 삼성전자 관계자는 연구단계에서는 70나노 기술개발에도 성공했다고 설명했다. 90나노 회로기술로 만든 제품은 기존의 0.13㎛(미크론·1백만분의 1？)기술 제품보다 칩의 크기가 3분의1 수준으로 줄어든다. 삼성전자는 2기가비트 플래시메모리칩 16개로 엄지손가락 크기의 4기가바이트 메모리카드를 만들어 8시간 분량의 동영상(비디오테이프 4개)과 CD 70개 분량의 데이터를 저장할 수 있도록 했다. ？2면에 계속 김성택 기자 idntt@hankyung.com