삼성전자가 내년부터 PDA(개인휴대단말기) 등 휴대기기와 네트워크 등에 들어가는 비메모리 복합칩(SOC;시스템 온 칩)의 생산에 회로선폭 0.13㎛(미크론·1백만분의 1m) 기술을 적용한다고 12일 발표했다. 삼성은 0.18㎛에서 0.15㎛ 단계를 거치지 않고 곧바로 0.13㎛ 기술로 이전했으며 전자회로상에서 혈관역할을 하는 배선에 있어서도 알루미늄배선과 구리배선을 동시에 적용키로 했다. 이에 따라 기존 0.18㎛ 기술을 적용했을 때에 비해 칩 크기는 50%,소비전력은 33%가 각각 감소하고 동작속도는 2배 향상됐다고 삼성전자는 설명했다. 이 회사는 D램에서는 이미 2백56메가와 5백12메가 제품에 0.12㎛ 공정을 적용하고 있다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com