D램 시장이 급속한 재편 바람을 맞고 있다. 그간 시장 주류였던 일반 싱크로너스 D램의 생산비중이 낮아지는 대신 차세대고성능 DDR(더블 데이터 레이트) SD램 비중은 갈수록 높아지고 있다. 하이닉스반도체는 21일 128메가 D램 기준으로 월 350만개의 DDR 생산량을 오는 12월 월 700만개 수준으로 늘리겠다고 밝혔다. 하이닉스는 이를 위해 이달부터 웨이퍼 투입량을 전체의 30%인 2만장으로 늘려생산비중을 3분기 현재 6%에서 연말까지 10%로 끌어올린다는 계획이다. 하이닉스는 또 다음달부터 256메가 DDR의 본격양산에 들어갈 예정이며 내년 1월에는 인텔의 펜티엄4용 128메가 DDR을 공급할 예정이다. 하이닉스가 이처럼 DDR 증산에 주력하고 있는 것은 차세대 고성능 D램 시장의주도권이 점차 램버스 D램에서 DDR로 넘어가는 추세이고 내년에는 DDR 시장점유율이30%선으로 크게 높아져 램버스 D램을 완전히 제칠 수 있다는 판단에 따른 것이다. 올해 DDR과 램버스 D램의 점유율은 각각 8%와 7%로 팽팽한 경쟁구도를 펼쳐왔으나 최근 램버스 D램이 쓰이는 인텔 펜티엄4의 판매가 부진해지면서 램버스 D램 점유율이 다소 낮아지고 있는 추세를 보이고 있다. 한편 램버스 D램과 DDR을 모두 생산하고 있는 삼성전자는 연말까지 현 25% 수준인 램버스 D램 비중을 20%로 낮추는 대신 DDR 생산비중은 5%에서 20%로 크게 끌어올려 두 제품의 균형을 맞춘다는 방침인 것으로 파악됐다. 이에따라 현재 월 1천만개 수준인 생산량을 연말 월 1천500만개로 확대할 계획이다. DDR SD램은 신호 1회에 데이터를 2번 전송, 일반 싱크로너스 D램보다 전송량이2배이상 빠른 차세대 고속 메모리 반도체로 램버스 D램과 함께 차세대 고성능 특화D램으로 꼽히고 있다. (서울=연합뉴스) 노효동기자 rhd@yna.co.kr