반도체 경기의 지속적인 침체로 대만 등 해외 반도체 업계가 차세대 시설투자를 속속 보류하는 가운데 삼성전자가 300 웨이퍼 생산라인 등에 대한 투자를 계획대로 실시, 차세대 D램 시장 선점에 나서고 있다. 19일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 미국의 테러참사로 인한 세계경기 회복의지연이 우려되고 있는 상황에서도 내년 2.4분기 가동예정인 11라인에 월 5천매 양산규모의 300 웨이퍼 초기 생산라인을 건설하는 것 등을 포함한 차세대 반도체 생산을 위한 투자는 계획대로 진행한다는 방침이다. 삼성전자는 또 지난 7월 상반기 실적 IR(기업설명회)에서 밝힌대로 내년 2.4분기로 예정했던 0.12 공정기술을 올 4.4분기로 앞당겨 도입함으로써 256메가 D램의주력제품화 작업도 가속화하기로 했다. 삼성전자가 경영환경의 악화에도 불구하고 이같이 차세대 반도체 투자를 계획대로 하는 것은 생산효율을 높여 원가절감에 나섬으로써 반도체 경기회복시 수익성을바탕으로 한 시장지배력을 더욱 강화하려는 전략에 따른 것으로 분석된다. 한편 대만 반도체업체들은 그동안 300 웨이퍼 라인 건설에 가장 적극적으로나섰으나 반도체 경기 침체의 지속으로 난야(Nan Ya), 윈본드(Winbond) 등이 이에대한 투자를 보류했다. 메리츠증권 최석포 연구위원은 "대만 반도체업체들은 경기가 좋지 않음에도 불구하고 시설투자를 확대해 경기전환시 최대의 수익을 확보하는 전략을 취해왔으나세계 경제의 장기적 불황전망이 지속됨에 따라 차세대 라인의 건설 계획을 연기하거나 투자규모를 축소할 것으로 예상된다"고 밝혔다. [한국경제]