삼성전자는 세계 최초로 0.13㎛급 초미세 공정기술을 적용한 IMT-2000과 차세대 휴대폰용 초저전력 8Mb 초저전력 S램을 본격 양산한다고 5일 밝혔다. 이 제품은 8Mb 대용량, 1㎂ 이하 저소비전류, 1.8V에서 55ns의 고속 데이터처리능력을 동시에 갖춰, 인터넷 접속과 동영상 전송 등 대용량 데이터 처리를 요구하는IMT-2000을 비롯한 차세대 휴대폰에 탑재될 예정이라고 삼성전자는 밝혔다. 특히 세계 최초로 0.13㎛급 공정기술을 적용, 소형화 추세인 첨단 모바일제품에 적합토록 크기를 기존보다 30% 줄였으며, 0.15㎛급 S램제품보다 생산성이 50% 이상 향상됐다고 삼성전자는 강조했다. 삼성전자는 0.13㎛급 외에 내년 0.10㎛, 2003년 0.08㎛급 공정기술을 적용한 S램 제품을 잇따라 개발, 경쟁업체와의 격차를 더욱 확대시킨다는 계획이다. 삼성전자는 " 이번 양산체제로 1세대 아날로그 휴대폰, 2∼2.5세대 디지털 휴대폰에 이어 3세대 IMT-2000용 S램시장도 선점할 수 있게 돼 S램 반도체 시장에서 부동의 1위를 지킬 수 있을 것"이라고 밝혔다. 삼성전자는 또 0.13㎛급 초미세 공정을 적용한 16Mb S램 제품도 올 4.4분기 출시, 국내외 차세대 휴대폰 개발업체에 공급할 예정이다. 삼성전자는 S램 반도체의 최대시장인 휴대폰 시장이 연평균 15~20%의 꾸준한 성장으로 올해 3억8000만∼4억1000만대 수준이 될 것으로 전망하고 올해 S램 매출을 18억 달러로 끌어올려 세계 S램 시장의 30% 이상을 점유한다는 목표를 잡고 있다. (서울=연합뉴스) 노효동기자 rhd@yonhapnews.co.kr