삼성전자는 회로선폭 0.15미크론의 초미세 공정기술을 적용한 고성능의 512메가 플래시메모리 반도체의 본격 양산에 나선다고 4일 발표했다. 삼성전자가 고성능 플래시메모리 양산을 본격화한 것은 휴대정보기기의 대용량.초고속 데이터 이용 증가에 따른 플래시메모리 수요를 충족시키기 위한 것으로 MP3플레이어, 디지털카메라, 노트북, PDA 등의 핵심 메모리로 공급될 예정이다. 이 제품은 512메가 단품과 칩 2개를 동시에 탑재한 1기가(Gb) 플래시메모리 2종으로 휴대정보 단말기의 고성능화.초소형화에 기여할 전망이다. 삼성전자는 이번 제품에 데이터 처리속도를 향상시키는 신기술을 적용했으며 256메가 양산 이후 6개월만에 차세대 제품의 양산시스템을 구축하면서 공정수를 기존보다 10% 정도 줄여 원가를 절감했다고 밝혔다. 한편 삼성전자는 연평균 72%의 고성장이 예상되는 NAND(데이터저장용)형 플래시메모리를 지난해 3,800만개 생산한데 이어 올해는 1억4천300만개로 생산규모를 늘려세계시장의 35%를 점유할 계획이다. 이와함께 하반기부터는 본격적으로 0.15 미크론 공정을 64메가, 256메가 제품등 전제품군에 확대 적용함으로써 원가경쟁력을 높여 플래시메모리 시장을 적극 공략할 방침이다 [한국경제]