하이닉스반도체는 최근 일본 교토에서 열린 국제반도체학술대회인 'SOVT/SOVC 2001'에서 초고집적 반도체 기술의 설계.소자.공정기술 분야의 최신 흐름을 반영한 논문 6편을 발표했다고 26일 밝혔다. 이번에 발표된 설계분야 논문은 ▲고집적 D램 제품 개발비용의 절감을 위한 새로운 설계회로 ▲차세대 반도체 제품인 강유전체 메모리(FeRAM)의 신뢰성 확보를 위한 고집적화 기술이다. 또 공정분야는 ▲고집적 D램 소자의 데이터보유시간 개선방법 ▲반도체 소자의 전기적 특성.신뢰성 개선과 관련한 새로운 증착방식 도입이며 소자분야는 ▲기가급D램 셀의 접촉저항 개선방법 ▲기가급 D램 누설전류 특성 개선방법 등이다. 이중 소자분야의 기가급 D램 셀의 접촉저항 개선방법에 대한 논문(`0.115㎛ 8F2DRAM working cell with ∼')은 차세대 D램 제품인 512메가와 기가급 D램 제품의 최대 기술적 난제인 셀 집적도의 신뢰성에 대한 해법을 제시, 전문가들로부터 높은 평가를 받았다고 하이닉스는 밝혔다. 한편 하이닉스는 최근 미국 테크놀로지 리뷰지(誌)가 발표한 '특허건수와 질을 종합적으로 고려한 지적재산력 세계 150대 기업'으로 선정됐다고 밝혔다. (서울=연합뉴스) 노효동기자 rhd@yonhapnews.co.kr