하이닉스반도체는 차세대 이동정보 통신기기 시장을 겨냥한 초저전력 SD램 개발에 성공했다고 11일 밝혔다. 하이닉스는 3.4분기에 이 제품 양산에 들어가고, 내년 상반기에는 256메가 초저전력 SD램 제품도 양산할 계획이다. 이 제품은 회로선폭 0.18㎛의 미세 가공기술을 적용하고 2.5V의 저전압에서 동작할 수 있도록 설계됐다. 하이닉스는 이 제품에 ▲온도에 따라 충전속도를 조절하는 `TCSR' ▲대기 때 데이터가 있는 부분만 충전하는 `PASR' ▲사용을 중단할 때 D램작동을 차단하는 `DPD'등의 소비전력 절감 규격들을 적용했다고 설명했다. 이를 통해 전력소모량을 기존제품에 비해 60% 이상 줄여 휴대기기의 배터리 사용시간을 늘릴 수 있는 게 특징이라고 회사측은 말했다. 이 회사 관계자는 "패키지도 향후 256메가SD램을 탑재할 수 있고 기존 제품에 비해 크기를 3분의1로 줄인 FBGA 패키지를 적용하는 등 초소형 패키지를 채택했다"면서 "일반 SD램보다 3∼4배 비싼 고부가가치 제품"이라고 밝혔다. (서울=연합뉴스) 정준영기자 prince@yonhapnews.co.kr