삼성전자는 0.13 (100만분의 1 미터)급 미세공정기술을 적용한 IMT 2000 휴대전화용 8Mb(메가비트) 저전력형 S램을 세계최초로 개발했다고 19일 발표했다.

이번에 개발된 삼성전자의 저전력형 S램은 1 (마이크로 암페어) 이하의 저소비전류, 2.5V에서 55ns(10억분의1초)의 고속 데이터 처리능력을 동시에 갖고 있어 IMT 2000 휴대전화에 적합하다고 삼성전자는 밝혔다.

삼성전자는 기존 제품보다 생산성을 50% 가량 향상시키고 제품크기를 30% 이상축소할 수 있는 0.13 의 8Mb S램을 내년초부터 본격적으로 양산할 계획이다.

삼성전자는 이번에 0.13 급 미세공정기술 적용을 시작으로 내년에 0.10 , 2003년에 0.08 급 S램 제품을 개발할 계획이어서 경쟁 업체와의 기술격차는 더욱 벌어지고 95년부터 지켜 온 S램 반도체 1위 자리를 8년째 유지할 전망이다.

삼성전자는 올해 S램에서 23억달러의 매출과 세계시장 점유율 30%를 목표로 하고 있다.

한편 시장조사기관인 데이터퀘스트는 S램 반도체의 최대 수요처인 휴대전화시장이 연평균 25%의 고속 성장세를 유지, 올해 5억2천만대에서 2004년에는 10억대 규모로 늘어날 것으로 내다보고 있다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com