반도체 세대교체가 급속히 진행되고 있다.

메모리 시장에서 시장의 무게중심이 64메가 D램에서 1백28메가 D램 등 고용량 제품으로 옮겨가고 있다.

삼성전자 현대전자 미국의 마이크론 등 D램 메이커들은 조만간 1백28메가 D램의 비트당 가격이 64메가 D램보다 낮아지는 비트 크로스(Bit Cross) 현상이 발생할 것으로 보고 고급 제품생산을 늘리고 있다.

삼성전자는 최근 경기도 화성 10라인을 본격 가동,11월부터 월간 2천만개 이상의 1백28메가 제품을 생산할 계획이다.

현대전자도 1백28메가 제품 증산에 들어가 월간 1천만개 이상을 생산하고 있다.

미국의 마이크론도 0.15미크론(1백만분의 1m)의 미세회로(쉬링크) 기술적용을 통해 한달에 2천만개 이상의 1백28메가 제품을 양산하고 있는 것으로 알려졌다.

차세대 고속 램인 램버스 D램 시장에서는 삼성과 일본의 NEC 도시바가 시장을 확대하기 위한 경쟁을 벌이고 있다.

전문가들은 D램 시장의 무게 중심이 1백28메가 쪽으로 옮겨가면서 64메가 D램 가격이 지속적으로 떨어지는 것으로 분석했다.

반도체 제품의 세대교체가 가속화되면서 메이커들은 내년 하반기께 2백56메가 D램 시장에서 경쟁이 치열해질 것으로 보고 생산 및 마케팅전략을 세우고 있다.

2백56메가 D램 시장에서는 삼성과 함께 독일의 인피니온 일본의 히타치가 치열하게 경쟁할 것으로 예상된다.

반도체 세대교체가 빨라지면 메이저 업체들이 12인치(3백mm) 웨이퍼가공라인을 서둘러 건설할 가능성도 없지 않다.

삼성전자는 지난 9월 D램업계의 최강자답게 12인치 라인을 건설하겠다고 밝혔다.

장비와 생산기술분야에서 해결해야 할 문제가 없지 않지만 시장 입지를 강화하기 위해 경쟁사보다 한발 앞서 12인치 라인을 건설하겠다는 포석이다.

전문가들은 12인치 라인을 건설하려면 약 2조5천억원의 자금이 필요하다고 보고 있다.

대산 생산량의 8인치 라인에 비해 2배 가량 늘어난다.

관련 업계에 따르면 인피니온은 내년말 소규모 12인치 라인을 건설하는 방안을 검토중이다.

미국의 마이크론 등은 12인치 라인건설에 대해 조심스러운 입장을 취하고 있다.

새로 라인을 건설하는 것보다 당분간 미세회로 기술(쉬링크)을 적용해 생산량을 늘리는 방향으로 생산계획을 마련했다.

현대전자는 12인치 웨이퍼 라인투자를 내년말께 검토해 2002년중 공장을 건설할 계획인 것으로 알려졌다.

전문가들은 반도체 영업환경이 급변하기 때문에 경쟁사보다 앞선 기술을 바탕으로 고수익을 얻을 수 있는 제품 구조로 사업을 이끌어야 한다고 강조했다.

1,2개 품목에 대한 의존도가 높으면 사업 리스크가 그만큼 커지기 때문이다.

이익원 기자 iklee@hankyung.com