한국과 일본 미국의 반도체업체들이 1백28메가D램 개발경쟁에 돌입했다.

1백28메가D램은 64메가D램과 2백56메가D램의 중간세대의 메모리반도체로
이같은 중간세대 반도체개발은 메모리반도체 역사상 처음있는 일이어서
관심을 모으고 있다.

21일 반도체업계에 따르면 삼성전자와 현대전자는 내년 상반기중 1백28
메가D램 개발을 완료하고 하반기부터 제품을 출시할 계획이며 LG반도체도
곧 개발에 착수할 예정이다.

이중 삼성은 회로선폭 0.2미크론m의 미세가공기술을 이용, 1백28메가
싱크로너스D램을 연구하고 있다.

일본의 NEC와 후지쓰 미국의 텍사스인스트루먼트도 개발을 진행중이다.

NEC는 내년 상반기까지 샘플제작을 완료하고 하반기부터 양산에 들어갈
계획이며 후지쓰는 내년하반기에 시제품을 선보인다는 계획이다.

이같이 업체들이 기존의 64메가보다 반세대 앞선 1백28메가제품 개발에
앞다퉈 나서는 것은 일차적으로 반도체 주수요처인 컴퓨터업체들의 요구에
의한 것이다.

이들업체는 2백56메가D램보다 가격이 저렴하면서 집적도는 64메가보다
높은 제품의 개발을 주문하고 있다.

또 반도체업체로서는 시설투자비가 기하급수적으로 증가하는 2백56메가
대신 중간단계의 제품을 생산하면 그만큼 위험부담을 덜수 있다.

또 64메가를 사용하는 컴퓨터에도 1백28메가를 구조변경없이 쓸수 있는
것도 장점으로 작용하고 있다.

< 김낙훈 기자 >

(한국경제신문 1997년 5월 22일자).