삼성전자, 3배 빠르고 큰 낸드플래시 양산
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삼성전자가 3배 빠르고, 3배 저장용량이 큰 두 종류의 낸드플래시 양산에 들어갔다.
휴대폰 등에 주로 쓰이는 낸드플래시 시장에서 삼성전자의 주도권이 한층 강화될 것으로 보인다.
삼성전자는 업계 최초로 읽기 속도를 3배 향상시칸 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시를 지난달 말부터 양산하기 시작했다고 1일 밝혔다.
고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 DDR 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 제품이다.
삼성전자는 독자적인 저전력 비동기 DDR 인터페이스 기술을 적용해 소비 전력량을 증가시키지 않으면서도 기존 SDR 대비 읽기 속도를 3배 이상 빠르게 구현했다고 설명했다.
3비트 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해 같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC에 비해 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다.
삼성전자는 이 제품으로 대용량 메모리카드, 휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 대체해 나갈 예정이다.
삼성전자는 이처럼 고객 수요에 따라 차별화된 솔루션을 제공할 수 있게 돼 프리미엄 시장에서 주도권을 강화하게 됐다고 자평했다.
한편 반도체 시장 조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 세계 낸드플래시 메모리 시장은 올해 138억달러에서 2012년 236억달러 규모로 급성장할 것으로 전망됐다고 삼성전자는 전했다.
한경닷컴 박철응 기자 hero@hankyung.com
기사제보 및 보도자료 open@hankyung.com
휴대폰 등에 주로 쓰이는 낸드플래시 시장에서 삼성전자의 주도권이 한층 강화될 것으로 보인다.
삼성전자는 업계 최초로 읽기 속도를 3배 향상시칸 32Gb(기가비트) 고속 낸드플래시와 저장용량을 3배 늘린 32Gb 3비트(bit) 낸드플래시를 지난달 말부터 양산하기 시작했다고 1일 밝혔다.
고속 낸드플래시는 D램의 고속 데이터 전송 방식인 DDR 인터페이스를 낸드플래시에 적용한 제품이다.
삼성전자는 독자적인 저전력 비동기 DDR 인터페이스 기술을 적용해 소비 전력량을 증가시키지 않으면서도 기존 SDR 대비 읽기 속도를 3배 이상 빠르게 구현했다고 설명했다.
3비트 낸드플래시는 하나의 셀(Cell)에 3비트 단위의 데이터를 저장할 수 있도록 해 같은 칩 면적에서 1비트(bit) 데이터를 저장하는 SLC에 비해 3배의 대용량 데이터를 저장할 수 있도록 한 것이다.
삼성전자는 이 제품으로 대용량 메모리카드, 휴대폰용 메모리카드 시장에서 기존 MLC 낸드플래시 제품을 대체해 나갈 예정이다.
삼성전자는 이처럼 고객 수요에 따라 차별화된 솔루션을 제공할 수 있게 돼 프리미엄 시장에서 주도권을 강화하게 됐다고 자평했다.
한편 반도체 시장 조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 세계 낸드플래시 메모리 시장은 올해 138억달러에서 2012년 236억달러 규모로 급성장할 것으로 전망됐다고 삼성전자는 전했다.
한경닷컴 박철응 기자 hero@hankyung.com
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