전동수 삼성SDS 사장 <한경DB>
전동수 삼성SDS 사장 <한경DB>
[ 김민성 기자 ] 전동수 삼성SDS 대표(전 삼성전자 사장)가 제7회 '반도체의 날'인 23일 금탑산업훈장을 수상했다.

산업통산자원부 주최로 23일 서울 여의도 63시티에서 열린 제7회 '반도체의 날' 기념식에서 전 대표 등 국내 반도체 산업 발전에 기여한 유공자들에 대한 포상이 진행됐다.

전 대표는 세계 최초 3차원 수직 구조 낸드플래시 메모리반도체(V낸드) 개발 및 상용화로 한국이 메모리 분야 세계 1위를 지키는 데 기여한 공로를 인정받았다.

V낸드 기술로 불리는 이 신형 낸드플래시 제조 기술은 3차원 수직 구조로 회로 집적도를 대폭 높인 신개념 기술이다. 메모리 내 집적 공간을 아파트 구조처럼 여러 층으로 쌓아 전기 신호를 더 많이 저장할 수 있도록 만든 것으로 삼성전자가 전세계에서 유일하게 상용화했다.

V낸드 기술은 전력 소모를 대폭 줄인 그린메모리 등과 함께 향후 반도체 분야 대표적 먹거리로 꼽힌다. 삼성전자는 지난 7월 세계 최초로 V낸드 기술로 만든 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품을 출시한 바 있다.

지난 9일에는 3비트 V낸드도 세계 최초 출시했다. 올 5월 세계 최초로 양산한 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) 제품이다. 삼성전자는 지난해 8월 '1세대(24단)', 올해 5월 '2세대(32단)' V낸드에 이어 이번에는 2세대 기반의 3비트 V낸드 양산 체제까지 갖추고 있다.
삼성전자가 지난 7월 세계 최초로 출시한 V낸드 기술 적용 SSD 제품.
삼성전자가 지난 7월 세계 최초로 출시한 V낸드 기술 적용 SSD 제품.
3비트 V낸드는 삼성의 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash)셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정을 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘린 것이다. 셀 저장 용량도 1.5배 향상됐다. 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품과 비교하면 생산성은 2배가 넘는다.

한편 장재영 국제엘렉트릭코리아 대표는 차세대 열처리장비를 개발해 장비 국산화율을 높인 공로로 동탑산업훈장을 수상했다. 김현곤 SK하이닉스 상무는 고성능·고용량·저전력 모바일 D램 개발을 선도한 공을 인정받아 산업포장을 받았다.

이외에도 대통령 표창 2명, 국무총리표창 3명, 산업부장관 표창 28명 등 36명이 반도체산업 발전 유공자로 포상을 받았다.

한편 산업통산자원부는 이날 국내 반도체 산업이 앞으로도 세계 시장을 선도할 수 있도록 정책적 지원을 아끼지 않겠다고 약속했다. 먼저 대·중소기업 상생 협력모델로 삼성전자와 SK하이닉스가 중소 반도체 장비업체에 패턴 웨이퍼를 저렴한 가격으로 빨리 공급하는 지원 프로그램을 운영하기로 했다.

패턴 웨이퍼는 대당 1000억원 대 노광장비를 이용해 미세한 회로를 새긴 것으로, 반도체 장비 개발 때 성능 검증을 위해 필요하다. 하지만 국내 중소기업은 자체 노광장비가 없고, 국내 공급 기반도 열악해 패턴 웨이퍼 1장을 사는 데 수천 달러를 주고도 3개월 이상 기다려야 하는 실정이다.

산업부는 "앞으로 중소기업이 패턴 웨이퍼를 장당 180달러에 1개월 안에 조달할 수 있을 것"이라고 기대했다.

한경닷컴 김민성 기자 mean@hankyung.com @mean_Ray