[산업I면톱] 삼성전자, 4GD램 가공기술 개발

삼성전자가 엄지 손가락만한 크기의 칩속에 신문 3만2천쪽 분량의 정보를
저장할 수있는 4기가 D램 반도체 공정기술을 개발했다.

삼성전자는 9일 4기가 D램 반도체 생산에 필요한 0.13미크론m(1미크론m은
1백만분의 1m)의 회로선폭 기술을 세계 최초로 개발했다고 발표했다.

이에따라 2005년 이후에나 가능할 것으로 예상됐던 4기가D램의 생산시기를
3년정도 앞당기게 됐다고 덧붙였다.

삼성이 개발한 0.13미크론m의 회로선폭 기술은 삼성이 지난 96년 11월
개발한 1기가 D램의 공정기술(0.18미크론m)보다 선폭이 30% 축소된 초미세
가공기술이다.

특히 전자빔 방사광 X선등 차세대 개발장치가 아닌 기존의 노광장치를
활용해 이 기술을 개발, 투자비가 거의 들어가지않았다.

또 현재 양산중인 16메가 D램과 64메가 D램에도 적용할 수있는 기술이어서
16메가 D램과 64메가D램의 가격경쟁력을 크게 높힐 수있게 됐다고 설명했다.

예컨데 16메가D램의 경우 지금 0.38미크론m급의 회로선폭기술을 적용하고
있으나 0.13미크론m급 기술을 적용하면 웨이퍼 한장당 생산량이 3배 정도
증가, 생산단가가 그만큼 낮아진다.

삼성은 이 기술을 16메가 D램과 64메가 D램은 물론 내년부터 양산에
들어가는 2백56메가 D램에도 적용할 계획이다.

64메가D램과 2백56메가D램에는 현재 0.25-0.3미크론m, 0.18미크론m의
회로선폭기술이 사용되고 있다.

삼성전자는 이번 기술을 11일까지 예정으로 이날 미국 하와이에서 개막된
초고집적회로 국제학회(VLSI심포지움)에도 보고했다.

현재 세계에서 가장 미세한 반도체 회로선폭은 지난 97년 11월 일본 NEC가
발표한 0.15미크론m로 알려져있다.

4기가 D램은 2백자 원고지 1백25만장에 해당하는 4억비트의 정보를 저장할
수있는 초고집적 메모리 반도체이다.

이 반도체는 앞으로 동영상회의 위성통신등에 필수부품으로 사용될 것으로
예상되는 21세기 핵심 메모리반도체이다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 6월 10일자 ).