삼성전자(대표 김광호)는 29일 차세대 메모리 반도체인 256메가 D램을 세
계 최초로 개발, 시제품을 만드는데 성공했다고 발표했다.

삼성전자가 2년6개월동안 1천2백억원을 들여 개발에 성공한 256메가D램은
2억7천만개 셀(단위소자)이 완벽히 작동하는 풀리 워킹 다이(FULLY WORKING
DIE) 샘플로 아직까지 일본을 비롯한 선진 반도체 업계에서도 개발에 성공
하지 못한 것이다.

256메가 D램은 2백자 원고지 8만매, 단행본 40권, 영자 신문지 2천페이지
분량의 정보를 손톱 크기의 칩에 저장할 수 있는 초고집적 메모리로, 컴퓨
터 및 고성능 워크스테이션의 주기억장치에 주로 사용되며, 향후 멀티미디
어 제품과 HDTV등에 그 기술을 응용할 수 있는 `차세대 전자산업의 쌀''로
알려져 있다.

삼성은 이제품 생산에 초전압 구동설계기술을 적용함으로써 2.2-2.4V의 저
전력화를 실현하고, 실제로 양산에 이용할 수 있는 공정기술을 채택해 차세
대 전자제품에 쉽게 적용할 수 있게 했다고 밝혔다.

이 제품의 처리속도는 40나노초(1나노는 10억분의 1)의 초고속으로 삼성전
자가 보유한 특허 기술인 `멀티 입출력 아키텍쳐'' 기술을 적용,고속동작 속
도의 물리적 한계를 극복함으로써 입출력 확장이 쉬운 새로운 구조로 설계
돼 데이터 처리 능력을 크게 향상시킨 것이 특징이다.

김광호 삼성전자 사장은 "2백56메가 D램의 상용화가 98년께 부터 시작돼
2000년에 들어서면 본격적 시장이 형성될 것으로 본다"며 "이 제품 하나로
현재 반도체 수출에 2배이상의 실적을 올릴 것으로 기대한다"고 말했다.

삼성은 이 제품과 관련해 1백29건의 특허를 국내에 출원하고, 이중 49건
은 미국등 해외에 출원을 완료해 선진국의 특허및 덤핑 공세에 유리하게 대
응할 수 있을 것으로 내다보고 있다.