하이닉스, 엔비디아에 '차세대 D램'
SK하이닉스는 차세대 D램인 HBM3(사진)의 양산을 시작해 미국 반도체기업 엔비디아에 공급한다고 9일 밝혔다. 지난해 10월 말 세계 최초로 HBM3를 개발한 지 7개월 만이다.

HBM은 고대역폭 메모리(high bandwidth memory)의 약자로 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다. HBM3는 1세대(HBM) 2세대(HBM2) 3세대(HBM2E)에 이은 4세대 제품으로, 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 풀HD 영화 163편을 1초에 전송하는 수준이다.

인공지능(AI) 반도체 시장을 이끌고 있는 반도체기업 엔비디아는 최근 SK하이닉스 HBM3 샘플의 성능평가를 마쳤으며, 오는 3분기 출시 예정인 자사 신제품 H100에 HBM3를 결합할 계획이다. SK하이닉스는 엔비디아의 일정에 맞춰 HBM3 생산량을 늘려나가기로 했다.

SK하이닉스는 차세대 D램 HBM에 대한 글로벌 빅테크기업의 수요가 늘 것으로 전망하고 있다. 빅테크기업들은 AI, 빅데이터 등 첨단기술의 발전 속도가 빨라지면서 급격하게 늘어나는 데이터를 빠르게 처리하는 방안을 고민하고 있기 때문이다. 노종원 SK하이닉스 사장(사업총괄)은 “엔비디아와 긴밀히 협력해 프리미엄 D램 시장에서 톱클래스 경쟁력을 확보했다”고 말했다.

박신영 기자 nyusos@hankyung.com