국내 반도체제조회사들이 동작속도가 빠르고 전원이 끊겨도 기억내용이
지워지지않는 차세대 메모리반도체인 플래시메모리를 올상반기부터본격
생산한다. 이에따라 같은 시기에 플래시메모리를 내놓을 것으로 알려진
인텔 도시바등과 국내업체간의 시장경쟁이 뜨거워질 전망이다.

1일 관련업계에 따르면 삼성전자 현대전자는 올해부터 세계시장이
형성될 것으로 전망되는 16메가플래시메모리분야에 적극 참여키로 했다.

삼성전자는 올 2.4분기말에 16메가플래시메모리를 세계시장에 내놓을
방침이다. 삼성은 기흥 메모리반도체공장에서 생산할 플래시메모리
가격을 한개당 80-1백달러정도로 보고 있으며 D램시장동향에 따라
판매물량을 조절할 계획이다.

삼성은 지난해 일본 도시바에 이어 세계 2번째로 낸드방식의 4메가와
16메가플래시메모리샘플을 개발했다.

현대전자의 경우 플래시메모리사업을 적극화한다는 방침아래 오는
96년부터 16메가플래시메모리를 생산키로 했다.

현대는 우선 내년 5월부터 노와방식의 4메가플래시메모리를 본격
내놓기로 했다.

현대는 이를위해 지난해 인수한 플래시메모리 전문회사인 미국
BMI사에서 기술개발을 수행, 4메가플래시메모리를 거의 완성했으며
오는 4월에 완제품을 선보일 것으로 알려졌다.

현대가 생산할 플래시메모리는 노와방식이며 최초물량은 50만개
가격은 10달러정도로 보고 있다.

삼성전자와 현대전자가 플래시메모리부분에 본격 참여키로 한것은
컴퓨터의 멀티미디어화가 확대됨에 따라 올상반기이후부터 16메가
플래시메모리시장이 본격 형성될 것으로 보고 있기 때문이다.

업계관계자는 초기제품이 높은가격으로 거래되는 반도체시장의
특성상 시장선점이 중요해 올해와 내년에 16메가플래시메모리분야
사업을 적극화하기로 했다고 말했다.

낸드방식 플래시메모리는 지난해 삼성과 도시바가 4메가와 16메가
플래시메모리 샘플을 개발, 이분야의 선두를 지키고 있으며 노와방식은
인텔이 16메가플래시메모리 샘플을 개발해놓은 상태다.

플래시메모리는 회로구성방식에 따라 낸드방식과 노와방식으로 나뉘며
앞으로 컴퓨터 하드디스크드라이브를 대체할 것으로 전망되고 있는
차세대메모리 반도체이다.