삼성전자가 16일 발표한 세계 최초 나노메모리 본격 상용화관련 내용에 소개된 주요 반도체 용어를 요약 정리한다. ▲플래시메모리(Flash Memory)= 플래시메모리는 전원을 끄면 데이터를 상실하는 D램, S램과는 달리 전원을 끊어도 데이터가 없어지지 않는 메모리다. 전원이 끊겨도 저장된 데이터를 보존하는 롬(ROM)의 장점과 정보의 입출력이 자유로운 램(RAM)의 장점을 모두 지니고 있어 비휘발성 메모리라고 불린다. 읽기와 쓰기가 자유로운 고성능, 고신뢰성의 메모리 제품으로 HDD(하드 디스크드라이브) 등을 대체할 것으로 예상되며 수요처는 디지털카메라, MP3, 메모리카드 등 무궁무진하다. 플래시메모리는 코드저장형(NOR)과 데이터저장형(NAND)로 나뉜다. ▲코드저장형(NOR)= 코드저장형 플래시메모리는 1-트랜지스터(TR), 1-메모리셀(MEMORY CELL)로 구성되며 D램이나 S램 방식의 임의 접근(RANDOM ACCESS)이 가능한고속장치다. 인텔이 주요 생산업체이며 응용처로는 휴대기기(HAND HELD) 등의 저장용으로 많이 사용된다. ▲데이터저장형(NAND)= 여러개의 트랜지스터가 직렬로 연결돼 있어 고집적이 가능하고 핸드디스크(HARDDISK) 대체용으로 일정한 규칙에 의해 데이터 접속이 가능한 고직접의 음성, 화상 등의 저장용으로 많이 사용된다. 삼성과 도시바가 메이저 생산업체이다. ▲나노(NANO) = 나노는 10의 -9승을 뜻하며 나노기술이라함은 미쇄회로기술을 의미한다. 전자제품이 소형화, 첨단화되면서 나노기술의 중요성은 더해지고 있다. 반도체에서는 공정기술상 회로의 선폭을 얼마나 고집적, 소형화하느냐가 생산성, 원가경쟁력과 직결되는데 200㎜ 웨이퍼를 기준으로 128메가 D램을 생산한다면 0.15㎛(10의 -6승) 공정기술로는 300장을, 0.12㎛으로는 400장을 찍어낼 수 있다. 삼성전자가 이번에 개발한 90나노(=0.09㎛)로는 600장까지 생산이 가능해 반도체 칩의 생산량을 종전보다 두배 가까이 늘리면서도 원가를 40%까지 낮출 수 있다. 지금까지 0.1㎛까지 기술개발이 됐고 이론상으로 90나노까지 생산이론이 나왔지만 상용화된 것은 삼성전자가 처음이다. (서울=연합뉴스) 유경수기자 yks@yonhapnews.co.kr