삼성전자가 반도체 상용 제품중 최소 회로선폭인 0.12마이크로m(1백만분 1m)의 공정 기술을 적용한 5백12메가 D램을 세계 최초로 개발했다.

황창규 삼성전자 메모리사업부문 대표는 20일 기자회견을 갖고 "2백56메가 D램과 동일한 패키지에 실을수 있는 5백12메가 D램 제품을 상용화해 차세대 메모리 반도체의 기술 및 시장을 주도하게 됐다"고 말했다.

회로선폭 0.12마이크로m는 머리카락 한올에 9백개의 가는 선을 그을 수 있는 초미세 가공 기술이다.

삼성은 지난해 6월 0.13마이크로m의 공정기술을 적용한 1기가 D램 제품을 개발한데 이어 이번에 상업생산이 가능한 0.12마이크로m급 5백12메가 D램를 선보였다.

5백12메가 D램은 기존의 양산용 제품중 최고 용량인 2백56메가 SD램에 비해 두배의 정보 저장 능력을 갖는 제품.

또 데이터 처리 최고속도가 2백66MHz의 초고속 제품으로 싱크로너스 방식과 DDR 방식을 하나의 칩으로 디자인한 제품이라 시장변화에 따라 탄력적으로 제품을 생산할 수 있는 이점이 있다고 회사측은 덧붙였다.

삼성은 특히 기존 2백56메가 D램과 동일한 사이즈의 플라스틱 패키지를 채용하는 방식으로 호환성을 높여 별도의 추가 비용없이 시스템의 메모리를 손쉽게 업그레이드 할 수 있다고 밝혔다.

삼성은 올 하반기 시제품 생산을 거쳐 내년 하반기부터 본격적으로 제품을 양산, 고성능 PC 서버 워크스테이션 관련업체에 공급할 계획이다.

삼성은 경기도 기흥공장의 9라인이나 화성단지에 건립중인 10,11라인에서 이 제품을 생산할 계획이다.

이익원 기자 iklee@ked.co.kr