[산업면톱] 현대전자-LG반도체, 반도체 '기술경쟁'

현대전자는 미국 벤처기업인 시메트릭스, 셀리스등 2개사와 공동으로
차세대 메모리 반도체인 2백56K Fe램을 세계 처음으로 개발했다고 발표했다.

LG반도체도 이날 0.23미크론m(1미크론m은 1백만분의 1m)의 초미세기술을
적용한 세계최소형 64메가D램을 개발 본격 양산에 들어갔다고 밝혔다.

<>현대전자 Fe램=전원이 차단되어도 저장된 정보가 지워지지 않은
비휘발성 소자로 같은 비휘발성인 플래시메모리에 비해 정보기록속도가
1천배 이상 빠르고 낮은 전압에서도 작동하는 것이 특징이다.

셀이 트랜지스터와 캐패시터 각각 한개씩으로 이루어져 있어 2개씩으로
구성된 기존 제품에 비해 크기도 작아졌다.

동작 전압은 3볼트로 기존제품(5볼트)보다 2볼트 낮아졌고 새로운
강유전물질의 사용으로 제품수명이 크게 연장됐다고 현대는 밝혔다.

현대는 이 제품이 고성능 저전력을 요구하는 휴대용 초소형 PC,
이동통신기기,스마트카드등에 사용될 것으로 예상했다.

또 비휘발성이라는 플래시 메모리의 장점과 저전압에서 고속동작하는
D램의 장점을 모두 갖춰 2000년이후에는 D램 S램 플래시메모리시장도
대체할 것으로 내다봤다.

현대전자는 이 제품의 성능을 지속적으로 향상시키고 강유전체를 이용한
복합반도체등 응용제품의 개발에 나서 2000년이후 예상되는 Fe램시장을
선점해 나갈 방침이다.

<>LG반도체 초소형 64메가D램=0.23미크론m의 미세회로선폭 기술을
적용한 제품으로 8인치 웨이퍼 한장에서 생산할 수있는 칩수(넷다이)가
4백35개이다.

LG는 8인치 웨이퍼 한장당 칩생산개수 4백35개는 세계 최다라며 개당
원가가 그만큼 낮아져 가격경쟁력을 확보할 수있게됐다고 설명했다.

NEC와 삼성전자등이 8인치 웨이퍼 한장에서 생산하는 64메가D램 칩은
4백개 내외인 것으로 알려졌다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 9월 3일자 ).