미 인텔과 일 샤프는 회로선폭이 0.4미크론m으로 종래의 0.6미크론m 제품
보다 크게 줄인 초소형 플래시메모리를 공동개발했다고 23일 발표했다.

양사가 개발한 메모리는 칩크기가 8메가비트제품이 기존제품보다 면적이
44%나 작다.

따라서 1장의 웨이퍼에서 종래보다 2배정도 많은 칩을 생산할수 있어
제조비용을 크게 줄일수 있을 것으로 예상된다.

또 휴대전화나 디지털카메라 휴대용컴퓨터등의 소형화는 물론 소비전력을
절약하는 것도 가능해지게 됐다.

이 메모리는 인텔이 보유한 스마트볼티지기술을 채용함으로써 광범위한
전압에 대응할수 있어 변압회로등이 불필요한 장점을 갖고 있다.

양사는 오는 5월부터 8메가비트제품의 샘플을 제조한뒤 오는 가을부터는
미국 뉴멕시코주의 인텔공장과 히로시마현 후쿠야마시의 샤프공장에서
양산에 들어간다.

샤프는 월 2백만개를 생산할 계획이나 인텔은 생산량을 밝히지 않았다.

판매가격은 샤프가 샘플 1개당 4천엔에, 인텔은 양산시 개당 2천엔정도로
계획하고 있다.

양사는 앞으로 4메가비트와 16메가비트제품도 생산할 예정이다.

양사는 지난 92년1월이래 플래시메모리의 생산 개발 판매부문에서 업무
제휴관계를 맺어 왔다.

(한국경제신문 1996년 4월 25일자).