삼성전자가 차세대 메모리반도체인 256메가D램을 세계 처음으로 개발했다.

삼성전자는 29일 2억7천만개의 단위소자가 완벽하게 작동하는 풀리워킹다이
(Fully Working Die)수준의 256메가D램 제작에 성공했다고 발표했다.

삼성전자의 256메가D램 개발은 그동안 일본반도체업계에 한발 뒤져있던
국내 기술수준이 일본을 추월했음을 입증하는 것으로 국내 반도체산업
발전의 중요한 계기가 될 것으로 전망된다.

삼성전자가 지난 92년부터 1천2백억원의 연구자금을 투입해 개발한 성공한
256메가D램은 이회사의 독자적 반도체 설계방식인 멀티I/O아키텍처기술로
설계돼 외국의 특허공세로 부터 벗어날 수 있을 것으로 기대되고 있다.

삼성전자는 256메가D램 제작과 관련해 1백29건의 특허를 국내에 출원
했으며 해외에 49건의 특허를 출원했다.

이제품은 반도체회로선폭 0. 25 (1 는 백만분의 1m)의 초미세 가공기술을
적용해 제작됐으며 2.2-2.4V의 초전압상태에서 작동하도록 구성됐다.

256메가D램은 오는 98년부터 상용화돼 2000년에 본격적인 시장이 형성될
것으로 전망되고 있는 차세대 메모리반도체이다.

이 제품은 2백자원고지8만매, 영문신문지 2천페이지를 저장할 수 있는
기억용량을 갖고 있어 멀티미디어제품 및 HD(고화질)TV등에 광범위하게
사용될 것으로 예상되고 있다.

삼성전자는 이제품 개발에 따라 오는 2000년경에 256메가D램 단일품목
으로 약2백억달러이상의 수출을 달성할 수 있을 것이라고 설명했다.