삼성전자는 플래시메모리 등 비휘발성 메모리보다 데이터 처리 속도가 1천배 빠른 차세대 메모리 반도체인 P램 기술 개발에 성공했다고 7일 발표했다. P램(Phase change RAM)이란 물질의 상(相) 변화를 이용해 데이터를 저장하는 메모리반도체로 상이 무정형(無定形) 상태에서 결정질 상태로 변화될 때 1비트(bit)의 데이터를 저장할 수 있다. 이 제품은 3.0V 전압에 쓰기속도 1백ns(나노초·10억분의 1초),읽기속도 50ns로 동작하고 20억회까지 반복 사용이 가능하며 섭씨 70도의 고온에서 20년간 데이터를 보존할 수 있다. 김성택 기자 idntt@hankyung.com