삼성전자가 20나노급 공정을 이용한 64Gb(기가비트) 용량의 3bit 낸드플래시 양산에 들어갔다.

삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30나노급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 제품을 내놓게 됐다.

20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시는 30나노급 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높고, Toggle DDR(Double Data Rate) 1.0 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했다는 점이 특징이다.

특히 하나의 칩으로 8GB의 데이터를 저장할 수 있어 대용량 메모리 시장 확대에 기여할 것으로 예상된다.

삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 김세진 상무는 "20나노급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 스마트폰, 태블릿PC, SSD(Solid-State Drive)에 이어 USB 플래시 드라이브, SD카드와 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다"고 말했다.

한경닷컴 권민경 기자 kyung@hankyung.com