삼성전자는 세계 최초로 D램회로선폭 0.11미크론m(1미크론m는 1백만분의 1m)기술을 개발,국제회의에서 인정 받았다고 18일 발표했다.

삼성전자는 미국 하와이에서 열린 제20회 VLSI(Very Large Scale Integration)심포지움에서 <>0.11미크론m 1기가 D램 상용제품 기술 <>4기가 이상급 D램 반도체용 신 재료(Ru) 적용기술 <>비메모리 반도체용 초고속 동작소자 기술 등 차세대 반도체 기술을 발표했다.

특히 0.11미크론m 1기가 D램 상용제품 기술은 이번 심포지움에서 최우수 논문으로 선정됐다고 삼성은 설명했다.

삼성전자의 0.11미크론m 1기가 D램 상용제품 기술은 산화알루미늄(Al2O3) 박막채용과 요철개념을 적용한 신구조(PAOSS)를 캐퍼시터에 적용해 0.11미크론m 가공공정에서도 1기가 D램 반도체 생산이 가능한 기술이다.

이에 따라 1기가 상용 D램 제품이 0.10미크론m 이하의 공정기술을 적용해야만 가능할 것이라는 예상을 깨트렸다.

또 포토설비 및 감광제 등을 교체할 필요가 없이 1기가 D램 반도체 상용제품 생산이 가능하기 때문에 신규 설비 투자금액을 획기적으로 줄일 수 있다고 삼성은 설명했다.

4기가 이상급 D램 반도체용 신재료(Ru) 적용기술은 4기가 이상의 고집적 반도체에 필수적으로 필요한 캐퍼시터 형성의 한계를 극복한 것으로 평가받았다.

삼성전자는 기존 대비 20% 성능이 향상된 비메모리 반도체용 초고속 트랜지스터 소자기술을 발표, 메모리 반도체 기술뿐 아니라 차세대 비메모리 반도체 관련 기술력도 인정받았다고 전했다.

< 이익원 기자 iklee@hankyung.com >