현대전자가 초고속메모리반도체인 16메가싱크로너스D램 샘플 생산을 개시,
상용화에 본격 나서고 있다.

21일 현대전자는 내년 하반기부터 양산예정인 16메가싱크로너스D램 상용
샘플을 생산, 각국의 수요업체에 공급한다고 밝혔다.

싱크로너스D램은 컴퓨터중앙처리장치에서 처리되는 정보를 동시에 입력하는
제품으로 기존D램과는 달리 정보전달시 병목현상이 없고 대용량의 정보를
한꺼번에 처리할 수 있어 차세대메모리반도체로 꼽히고 있다.

이회사가 지난해말 개발해 이번에 상용화에 나선 16메가싱크로너스D램은
정보처리속도가 6나노초(1나노초는 10억분의 1초)로 이분야 선두주자인
일본 NEC사 제품보다 2나노초가 빠르다.

고속입출력장치를 탑재할 경우 1초에 최대 한글 1억6천5백만자(3백30메가
바이트)까지 전송할 수 있다.

칩내부에 두개의 독자적인 D램을 삽입, 예비충전시간이 필요없다는 특징을
갖고 있다.

현대전자는 이제품 개발과 관련, 20여건의 특허를 국내외에 출원했다.

현대전자는 내년부터 16메가싱크로너스D램 세계시장이 본격 형성돼 오는
96년에는 세계16메가D램 시장의 20%, 97년에는 30%를 점유할 것이라며 이
제품 상용화에 적극 나설 계획이라고 설명했다.

(한국경제신문 1994년 12월 22일자).