[속보] SK하이닉스, 3분기 영업익 4조1718억…전년비 220.4%↑
노정동 한경닷컴 기자 dong2@hankyung.com
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영화 163편 1초에 전송…SK하이닉스 '초고속 D램'
SK하이닉스가 초당 819GB의 데이터를 처리할 수 있는 D램 ‘HBM3’(사진)를 업계 최초로 개발했다고 20일 발표했다. 고성능 서버, 슈퍼컴퓨터 등을 겨냥한 제품이다. 풀HD급 영화 163편 분량에 해당하는 데이터를 1초 만에 전달하는 ‘괴물 성능’을 자랑한다.HBM은 ‘high bandwidth memory(고대역폭 메모리)’의 약자다. 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 칩 성능을 극대화했다. 이번에 개발한 HBM3는 SK하이닉스가 네 번째 내놓는 제품이다. 회사 관계자는 “지난해 7월 2세대 제품의 확장 버전인 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년3개월 만에 3세대에 해당하는 HBM3 개발에 성공했다”고 말했다.가장 눈에 띄는 점은 속도다. 지난해 양산을 시작한 HBM2E보다 속도가 78%가량 빠르다. 칩 안에는 오류정정코드가 내장돼 있어 D램 셀에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있다.용량에서도 전작의 기록을 넘어섰다. HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 30㎛(1㎛=100만분의 1m) 높이의 단품 D램 칩을 제작했다. 초박형 D램 칩 12개를 TSV 기술로 위로 쌓아 연결한 게 HBM3다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 것을 의미한다.HBM3는 데이터센터에 들어가는 고성능 서버용 PC 시장을 겨냥해 개발됐다. 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝 장비와 기후변화 해석, 신약 개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용할 수 있다.HBM 시장은 빠르게 커질 전망이다. 컴퓨팅 성능을 높이기 위해 고성능 D램을 활용하는 사례가 점점 늘어나고 있기 때문이다. 업계 관계자는 “컴퓨팅 성능을 높이려면 CPU(중앙처리장치)뿐 아니라 메모리 반도체의 성능도 같이 높아져야 한다”며 “머신러닝 등 복잡한 계산이 필요한 작업을 맡는 데이터센터가 늘어나는 속도에 발맞춰 HBM 시장도 함께 커질 것”이라고 설명했다.차선용 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 “세계 최초의 HBM D램 출시를 시작으로 HBM3 개발까지 업계 최초 기록을 이어가고 있다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편 ESG(환경·사회·지배구조) 경영에 부합하는 제품을 공급하겠다”고 말했다.송형석 기자 click@hankyung.com
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SK하이닉스는 현존 최고 사양 D램인 '고대역폭메모리(HBM·High Bandwidth Memory) 3'를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다.HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품이다.SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년3개월 만에 HBM3를 개발하며 이 시장의 주도권을 확고히 했다.SK하이닉스 관계자는 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.속도 측면에서 HBM3는 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다.이와 함께 이 제품에는 오류정정코드(On Die - Error Correction Code)가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 크게 높아졌다.이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB를 구현하기 위해 SK하이닉스는 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결해냈다. TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. 앞으로 HBM3는 고성능 데이터센터에 탑재되며, 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 전망이다. 차선용 SK하이닉스 부사장(D램개발담당)은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 할 것"이라고 말했다.노정동 한경닷컴 기자 dong2@hankyung.com
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SK하이닉스는 한국마이크로소프트와 ‘안성천 종(種) 다양성 연구 및 디지털 그린 인재 양성 사업’을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 발표했다. 경기 용인시에서 발원해 아산만으로 이어지는 안성천은 용인 반도체 클러스터 부지 인근을 흐른다.안성천의 생태계가 살아나는 모습을 관찰하는 게 이번 협약의 핵심 내용이다. 용인 반도체 클러스터는 2025년 가동을 목표로 인허가 과정을 진행 중이다. 클러스터가 가동되면 정화된 물이 방류돼 안성천의 수량이 늘면 다양한 종류의 생물이 나타날 것으로 회사 측은 기대하고 있다. 두 회사는 마이크로소프트 클라우드 애저(Azure) 인공지능(AI)을 활용해 반도체 클러스터 조성 전후의 생태계 변화를 관찰하고 기록할 계획이다.이수빈 기자 lsb@hankyung.com
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