"또 중국이야?"…'4조원 투입' 반도체기술 유출

삼성전자가 독자적으로 개발한 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 삼성전자 전직 임원과 연구원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 오늘(27일) 산업기술보호법 위반과 부정경쟁방지법 위반 등의 혐의로 삼성전자 전직 임원 최 모 씨와 삼성전자 전 수석 연구원 오 모 씨를 구속기소 했다고 밝혔다.

이들은 지난 2014년 20나노급 반도체를 생산하는 데 필요한 온도·압력 등 600여 단계 공정에 관한 핵심 정보가 담긴 자료를 중국 반도체 제조업체 '청두가오전(CHJS)'에 유출한 혐의를 받고 있다.

특히 최 씨의 경우 국내 반도체 제조분야 최고 전문가로, 삼성전자와 SK하이닉스에서 약 30년 동안 근무했던 것으로 알려졌다.

검찰에 따르면 이들은 "삼성전자가 개발비 4조 원을 투입한 국가핵심기술을 부정적으로 사용했다"며 "글로벌 반도체회사들도 통상 4~5년이 소요되는 D램 반도체 공정 기술을 불과 1년 6개월 만에 개발했다"고 설명했다.

그러면서 "중국에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했고 최종 양산에 성공할 경우 그 피해가 최소 수십조 원에 달할 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

아울러 검찰은 추가 수사를 통해 최 씨가 가 중국 반도체회사 지분 약 860억 원을 받고 보수 명목으로 18억 원의 범죄수익을 취득한 사실을 파악하고 이들이 설립한 중국 반도체회사가 조직적으로 범행을 계획·실행한 사실을 확인, 반도체회사도 추가 기소했다고 설명했다.


임원식기자 ryan@wowtv.co.kr